Quel est le gain de tension de l'amplificateur FET?
* transconductance (GM): Il s'agit d'une mesure de la quantité de courant de sortie change pour un changement donné de tension d'entrée. GM plus élevé conduit à un gain plus élevé.
* Résistance à la charge (RL): La résistance connectée à la sortie du FET. Un RL plus élevé conduit à un gain plus élevé.
* Résistance interne (RDS): Il s'agit de la résistance du FET lui-même, qui peut limiter le gain.
Le gain de tension d'un amplificateur FET peut être approximé à l'aide de la formule suivante:
av ≈ gm * rl
Où:
* Av =gain de tension
* GM =transconductance
* RL =résistance à la charge
Considérations importantes:
* Résistance à l'entrée: Les FET ont une impédance d'entrée très élevée, ce qui signifie qu'ils tirent très peu de courant du signal source. Cela les rend idéaux pour amplifier les signaux sans charger la source.
* Réponse en fréquence: Le gain d'un amplificateur FET peut varier en fonction de la fréquence. Les effets capacitifs dans le circuit peuvent provoquer le roulement du gain à des fréquences élevées.
* biais: Le point de polarisation du FET peut également affecter son gain. Une polarisation appropriée garantit que le FET fonctionne dans la région linéaire pour un gain optimal.
Exemple:
Disons qu'un FET a une transconductance de 2 ms (millisiemens) et est connecté à une résistance de charge de 10 kΩ (kiloohms). Le gain de tension approximatif serait:
Av ≈ 2 ms * 10 kΩ =20
Cela signifie que la tension de sortie serait environ 20 fois supérieure à la tension d'entrée.
Remarque: Il s'agit d'une approximation simplifiée. Le gain de tension réel d'un amplificateur FET sera affecté par des facteurs tels que la résistance interne du FET, les conditions de biais et la configuration de circuit spécifique.