Spécifications du transistor 3SK51

Le transistor 3SK51 est un transistor à effet de champ MOS (MOSFET) à double grille, canal N, utilisé pour diverses applications de commutation électronique. Les MOSFET comme le 3SK51 se trouvent dans les appareils électroniques personnels, ordinateurs, récepteurs audio et téléviseurs. De nombreuses entreprises ont abandonné le transistor 3SK51, mais des MOSFET similaires sont disponibles sous d'autres classifications auprès des principaux fabricants de semi-conducteurs.

Spécifications physiques

Le transistor 3SK51 est logé dans un boîtier TO-72. Sa hauteur totale du sommet à la base peut aller de 4,32 à 5,33 mm, et il mesure de 5,31 à 5,84 mm de diamètre au point le plus large de la base du transistor. La largeur du boîtier lui-même sans la base est de 4,45 à 5,03 mm et la base mesure de 12,7 à 19,05 mm de haut. Les quatre broches sont positionnées selon un motif circulaire ; elles mesurent 0,41 à 0,53 mm de longueur. Le diamètre du cercle formé par les broches est de 2,54 mm. Il y a une gamme de dimensions en raison de la taille minuscule du boîtier et des spécifications acceptées pour le boîtier.

Spécifications de gestion de puissance

La tension drain-source maximale pour ce MOSFET est de 20 volts. La tension grille-source maximale est de 7 volts. Sa dissipation de puissance maximale est de 330 milliwatts et son courant de drain maximal est de 35 milliampères.

Autres spécifications

La température de jonction maximale de ce MOSFET est de 175 degrés Celsius (347 degrés Fahrenheit). Sa capacité drain-source est de 20 picofarads.

MOSFET équivalents ou de substitution

Le 3SK51 peut être remplacé par les 3N159, 3N201, 3N202, 3N203, 3N203A, 3N204, 3N205, 3N206, 3N211, 3N212, 40600, 40601, 40602, 40603 et 40604 MOSFETs, ainsi que par les HEPF2004, IRLBA3803/P et IRLBA3803P, selon l'application.