Un JFET à canal N nécessite-t-il une valeur positive ou négative pour Vgs ?
* Structure JFET à canal N : Un JFET à canal N possède un canal en matériau semi-conducteur de type N (les électrons sont les porteurs majoritaires). La grille est constituée d'un matériau semi-conducteur de type P.
* Région d'épuisement : Lorsqu'une tension négative est appliquée à la grille, elle attire les trous positifs du matériau de grille de type P. Ces trous créent une région d'appauvrissement, une région avec très peu de porteurs de charge libres, à proximité de la jonction grille-canal.
* Rétrécissement du canal : À mesure que la tension de grille négative augmente, la région d'appauvrissement s'élargit, « pinçant » efficacement le canal et réduisant le flux de courant à travers le JFET.
* Tension de pincement : Il existe une certaine tension négative, appelée tension de pincement (Vp), dans laquelle la région d'appauvrissement bloque complètement le canal et le flux de courant est essentiellement coupé.
En résumé : Un Vgs négatif est nécessaire pour contrôler la largeur du canal et réguler le flux de courant à travers un JFET à canal N.