Comment concevoir avec des transistors à effet de champ (FET)
Les transistors à effet de champ (FET) sont similaires aux transistors bipolaires à jonction avec seulement quelques différences mineures. En tant que tels, ils peuvent être utilisés presque indifféremment dans n'importe quel design à transistor. Les FET sont cependant préférés dans les applications à fort courant car ils sont plus faciles à piloter. Les FET peuvent être pilotés par de très petits courants. Concevoir avec des FET consiste essentiellement à déterminer que les bonnes conditions sont réunies pour que le circuit fonctionne selon les spécifications.
Instructions
Déterminez le niveau d'instabilité admissible du circuit. Puisque tous les circuits auront une forme d'instabilité, abaisser le facteur de stabilité autant que possible doit être calculé en sélectionnant soigneusement les admittances source et charge. Cela est généralement réalisé par l'utilisation de mécanismes de rétroaction employés dans le design de transistors.
Déterminez si la rétroaction doit être employée pour atteindre la stabilité. La rétroaction ne doit être appliquée que s'il y a besoin d'atteindre la stabilité dans les amplificateurs accordés haute fréquence, l'isolation entrée-sortie ou dans le but de modifier le gain et les admittances terminales des transistors dans un circuit.
Calculez les admittances source et charge. La source et la charge d'un circuit détermineront la stabilité d'un circuit à un certain degré et sont donc des considérations importantes lorsqu'on essaie encore de stabiliser un circuit.
Utilisez un design de réseau approprié tout en gardant à l'esprit les admittances source et charge que vous venez de calculer. Par exemple, le design d'amplificateur à deux ports est utilisé pour les circuits haute fréquence.