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Loi d'Ohm : Vérité universelle ou approximation commode ?

La loi d'Ohm (V = I·R) est la première loi des circuits, mais ce n'est pas une loi universelle de la physique comme la gravité ou la thermodynamique. C'est une propriété matérielle empirique — vraie seulement pour les matériaux ohmiques sous conditions spécifiques. La plupart des dispositifs réels la violent.

Où elle s'applique : Conducteurs ohmiques (linéaires)

  • Métaux à température constante : Cuivre, aluminium, argent, or, tungstène (filaments à température fixe). Résistance constante ; courbe V-I ligne droite par l'origine.
  • Résistances carbone (composition, couche) : Conçues pour être ohmiques sur plage nominale.
  • Résistances idéales : Éléments de circuit théoriques.
  • Électrolytes (faible densité courant, concentration uniforme) : Approximativement ohmiques.

Où elle échoue : Dispositifs non-ohmiques (non-linéaires)

La résistance change avec la tension ou le courant appliqués. Courbe V-I n'est pas une droite. La « résistance » devient une fonction : R(V) ou R(I). On définit la Résistance statique (V/I en un point) et la Résistance dynamique (dV/dI — la pente).

Dispositif / MatériauMécanisme non-linéaireCaractéristique V-I
Diodes semiconductrices (PN, Schottky, LED)Injection exponentielle porteurs à travers zone déplétionI = I₀(e^(qV/nkT) - 1). Tournant net (~0,7 V Si, ~0,3 V Schottky, ~1,8–3 V LED).
Transistors (BJT, MOSFET, IGBT)Conductivité canal contrôlée par champCoupure → Actif (linéaire/saturation) → Saturation. Trois bornes ; V-I est famille de courbes.
Tubes à décharge gazeuse / Néon / Fluorescent / PlasmaAvalanche ionisation, région résistance négativeForte tension amorçage → chute brutale (R négatif) → lueur/arc. Besoin ballast.
Varistances (MOV) / Diodes TVSRupture tension-dépendante (avalanche/Zener)Forte R sous Vclamp → Faible R au-dessus. Protection surtensions.
Thermistances (NTC/PTC)Résistivité température-dépendante (auto-échauffement ou ambiante)NTC : R chute quand T monte. PTC : R pique à point Curie. Auto-échauffement rend V-I non-linéaire.
Filament incandescent (Tungstène)Coefficient température résistivité (α ≈ 4,5×10⁻³/K)R à froid ≈ 1/10–1/15 R à chaud. Courant d'appel 10–15× régime permanent.
Électrolytes (Fort courant)Polarisation concentration, polarisation électrodeDéviation linéarité à forte densité courant.
Tubes à videCourant limité par charge d'espace (Loi Child-Langmuir : I ∝ V^(3/2))Non-linéaire. Historique.

Pourquoi ça compte : Analyse petits signaux

Même pour dispositifs non-ohmiques, on linéarise autour d'un point de polarisation (Point Q) :

rd = dV/dI |Q (Résistance dynamique / petit signal)

Cela permet l'analyse AC en utilisant la loi d'Ohm sur les signaux incrémentaux (v = i·rd). Tout le modèle petit signal d'un transistor (rπ, gm, ro) repose sur ce concept.

Température : Le briseur silencieux de la loi d'Ohm

Même les résistances « ohmiques » ont un TCR (Coefficient de Température de Résistance). Résistances de précision : ±25 ppm/°C. Carbone bon marché : ±500 ppm/°C. Une résistance 100 ppm/°C change 1 % par 10 °C. En circuits de précision, c'est une source d'erreur dominante. Les résistances de puissance doivent être déclassées et radiateur.

Conclusion

  • La loi d'Ohm est un modèle de matériau, pas une loi universelle.
  • Elle s'applique parfaitement aux résistances idéales et métaux à température constante.
  • Elle échoue pour semiconducteurs, décharges gazeuses, thermistances, filaments, et tout dispositif où R = f(V, I, T, t, lumière, champ B...).
  • L'analyse de circuits utilise la loi d'Ohm pour parties linéaires et la remplace par équations de dispositifs (Shockley, Child-Langmuir, Ebers-Moll, BSIM) pour parties non-linéaires.

Savoir où elle échoue sépare l'analyste de circuits du simple changeur de composants.

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