Comparer les caractéristiques d'une diode au silicium et au germanium ?

* Chute de tension directe : 0,7 V

* Tension de claquage inverse : 100 V

* Courant direct maximum : 1 A

* Courant inverse maximum : 10µA

* Plage de température de fonctionnement : -55°C à 150°C

Diode au germanium

* Chute de tension directe : 0,3 V

* Tension de claquage inverse : 50 V

* Courant direct maximum : 0,5 A

* Courant inverse maximum : 5 µA

* Plage de température de fonctionnement : -55°C à 100°C

Comparaison

Les diodes au silicium ont une chute de tension directe plus élevée que les diodes au germanium, mais elles ont également une tension de claquage inverse plus élevée et une plage de températures de fonctionnement plus large. Les diodes au germanium ont une chute de tension directe plus faible, mais elles ont également une tension de claquage inverse plus faible et une plage de température de fonctionnement plus étroite.

En général, les diodes au silicium sont plus couramment utilisées que les diodes au germanium car elles sont plus robustes et plus fiables. Les diodes au germanium sont encore parfois utilisées dans des applications spéciales où leur faible chute de tension directe est importante, comme dans les cellules solaires et les diodes électroluminescentes (DEL).